因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

等離子刻蝕機核心檢測項目包含六大維度：1. 等離子體參數（電子密度、離子能量分布函數）；2. 刻蝕速率線性度（不同材料去除速率的線性關系）；3. 選擇比穩定性（掩膜層與目標層的刻蝕速率比）；4. 均勻性指標（晶圓表面刻蝕深度3σ值）；5. 殘留物分析（反應副產物沉積量）；6. 微觀形貌特征（側壁角度粗糙度Ra值）。其中等離子體參數需同步監測射頻功率匹配度與氣體離解率偏差。

檢測范圍

檢測覆蓋主流等離子刻蝕設備類型：1. 電容耦合等離子體（CCP）系統；2. 電感耦合等離子體（ICP）系統；3. 反應離子刻蝕（RIE）裝置。適用工藝節點包括28nm至3nm制程的FinFET刻蝕、高深寬比接觸孔刻蝕及三維NAND存儲結構加工。特殊場景檢測含磁性材料刻蝕的離子損傷評估及低k介質刻蝕的介電常數變化監測。

檢測方法

標準化檢測流程包含三個階段：1. 基礎性能測試采用Langmuir探針測量等離子體參數，臺階儀進行刻蝕深度標定；2. 工藝穩定性驗證通過連續24小時動態監測系統壓力波動（±0.5mTorr）和氣體流量漂移（≤1%）；3. 微觀結構分析使用場發射掃描電鏡（FE-SEM）測量特征尺寸CD值偏差（±1.5nm），原子力顯微鏡（AFM）量化表面粗糙度變化。

特殊材料檢測需結合X射線光電子能譜（XPS）分析表面化學態變化，二次離子質譜（SIMS）測定摻雜元素剖面分布。在線監測采用光學發射光譜（OES）實時追蹤活性粒子濃度波動。

檢測儀器

核心檢測設備配置包含：1. 四極質譜儀（QMS）用于反應腔室氣體成分定量分析；2. 橢偏儀測量薄膜厚度變化分辨率達0.1?；3. 高精度射頻功率計（頻率范圍1-60MHz）；4. 晶圓級熱成像系統監測基片溫度梯度（±0.5℃）。輔助設備配置含真空計組（量程10^-6-10³Torr）、質量流量控制器校準裝置（精度±0.2%F.S.）。

微觀分析設備組合包括：1. 透射電子顯微鏡（TEM）觀測原子級界面缺陷；2. 白光干涉儀測量三維形貌特征；3. 輝光放電質譜儀（GD-MS）分析金屬污染濃度（ppt級）。在線診斷系統集成殘余氣體分析儀（RGA）和電壓電流探頭組。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件