分析鑒定 / 研發檢測
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中析研究所檢測中心
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中科光析科學技術研究所
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北京市豐臺區航豐路8號院1號樓1層121[可寄樣]
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010-82491398
報告問題解答：
010-8646-0567
檢測領域：
成分分析,配方還原,食品檢測,藥品檢測,化妝品檢測,環境檢測,性能檢測,耐熱性檢測,安全性能檢測,水質檢測,氣體檢測,工業問題診斷,未知成分分析,塑料檢測,橡膠檢測,金屬元素檢測,礦石檢測,有毒有害檢測,土壤檢測,msds報告編寫等。
發布時間：2025-04-10
關鍵詞：場效應管檢測方法,場效應管試驗儀器,場效應管項檢測報價
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來源：北京中科光析科學技術研究所
因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。
場效應管核心檢測項目包含三大類共12項關鍵指標：
靜態參數：柵源閾值電壓（VGS(th)）、漏源導通電阻（RDS(on)）、柵極漏電流（IGSS）、體二極管正向壓降（VSD）
動態參數：開關時間（td(on)/td(off)）、反向恢復時間（trr）、輸入/輸出電容（Ciss/Coss）
可靠性指標：高溫反偏（HTRB）壽命、溫度循環（TCT）耐受性、濕熱偏置（THB）穩定性
本檢測體系適用于以下場效應管類型：
| 分類維度 | 具體類型 |
|---|---|
| 材料體系 | 硅基MOSFET、碳化硅MOSFET、氮化鎵HEMT |
| 結構類型 | 平面柵/溝槽柵MOSFET、VDMOS/橫向擴散MOSFET、結型場效應管（JFET） |
| 功率等級 | 低壓器件（＜100V）、中壓器件（100-600V）、高壓器件（＞600V） |
| 封裝形式 | SOT-23/TO-220/D2PAK等分立封裝、功率模塊集成封裝 |
依據IEC 60747-8標準建立三級測試體系：
靜態特性測試法
采用四線制Kelvin連接消除接觸電阻影響
柵極偏置電壓按0.1V步進掃描測量ID-VGS曲線
漏源電壓施加至額定值120%進行擊穿特性測試
動態特性測試法
雙脈沖測試平臺構建：脈沖寬度10μs-1ms可調
采用差分探頭測量米勒平臺持續時間
通過RG(int)/RG(ext)組合優化開關損耗測量精度
1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)
2、確認檢測用途及項目要求
3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)
4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)
5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測
6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤
7、確認完畢后出具報告正式件
8、寄送報告原件
