因業務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

EMI濾波器核心檢測項目包含六類基礎參數與三項功能性指標：

插入損耗特性：測量10kHz-30GHz頻段內共模/差模衰減量值

阻抗匹配特性：分析輸入/輸出端在額定電流下的阻抗-頻率曲線

絕緣耐壓性能：驗證3kV AC/6kV DC條件下的介質耐受強度

漏電流測試：考核230V AC/63Hz工況下對地泄漏電流值

溫度循環試驗：-40℃至+125℃環境下的參數漂移量監測

機械振動測試：10Hz-2000Hz掃頻振動后的結構完整性評估

脈沖群抗擾度：驗證5kHz重復頻率的4kV EFT/B抗干擾能力

雷擊浪涌測試：模擬1.2/50μs波形6kV沖擊后的保護性能

長期老化試驗：1000小時滿載運行后的參數穩定性驗證

檢測范圍

本檢測體系適用于四類電磁干擾抑制器件：

電源濾波器：含單相/三相交流濾波模塊及直流濾波組件

信號濾波器：涵蓋RJ45/USB/HDMI等接口的EMI抑制器件

板級濾波器：包括磁珠陣列、三端電容等SMT封裝元件

特種濾波器：軍工級濾波連接器及核磁環境專用抑制裝置

適用終端產品領域包含：工業變頻設備（EN 61800-3）、醫療成像系統（IEC 60601-1-2）、車載電子單元（CISPR 25）、航空航天設備（DO-160G）、光伏逆變器（VDE 0126）等五大應用場景。

檢測方法

標準化測試流程依據三類國際規范構建：

傳導干擾測試（CISPR 16-2-1）：采用LISN網絡在屏蔽室內測量150kHz-30MHz頻段傳導發射

輻射干擾測試（ANSI C63.4）：在3m法半電波暗室中掃描30MHz-6GHz輻射場強

網絡分析法（MIL-STD-220B）：使用矢量網絡分析儀測量S參數矩陣

時域反射法（IEC 62333-2）：通過TDR技術分析阻抗突變點位置

熱成像分析法（ISO 18434-1）：紅外熱像儀監測滿載工況溫度分布

介質耐壓試驗（IEC 60950-1）：5mA限流條件下施加3kV AC持續60s

檢測儀器

標準實驗室應配置六類精密測試設備：

矢量網絡分析儀：Keysight PNA系列（10MHz-43.5GHz）

頻譜分析系統：Rohde&Schwarz FSW系列（20Hz-44GHz）

人工電源網絡：EMCO 3816/2 LISN（150kHz-30MHz）

脈沖發生器：Haefely PEF 6000S（8/20μs浪涌波形）

屏蔽測試室：ETS-Lindgren 10m法全電波暗室（30MHz-40GHz）

環境試驗箱：Weiss Technik 系列溫循箱（-70℃~+180℃）

輔助測量裝置需包含：50Ω/150Ω阻抗適配器組、N型/RG214同軸轉換器、TEM小室（DC-1GHz）、電流注入探頭（10kHz-400MHz）及符合ISO/IEC 17025標準的校準系統。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數據，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件