因業(yè)務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

　　中析研究所成分分析檢測機構可提供多晶硅檢測服務。檢測范圍包括多晶硅、太陽能電池多晶硅、多晶硅片等。檢測項目包括成分分析、性能檢測、質量檢測等。中析研究所出具的檢測報告支持掃碼查詢真?zhèn)危瑘蟾妗?/p>

　　多晶硅檢測范圍：多晶硅、太陽能電池多晶硅、多晶硅片、多晶硅太陽能板、多晶硅光伏組件、光伏多晶硅、多晶硅料、強大多晶硅片、多晶硅制品、低溫多晶硅等。

　　多晶硅檢測項目：成分分析、成分檢測、成分鑒定、性能檢測、質量檢測、電阻率檢測、腐蝕檢測、老化檢測等。

　　多晶硅檢測周期：樣品測試周期一般為10個工作日。

　　多晶硅檢測費用：工程師根據(jù)檢測項目進行報價。

　　多晶硅成分分析流程

　　1、寄樣(或上門取樣)

　　2、初檢樣品

　　3、根據(jù)實驗復雜程度進行報價。

　　4、雙方確定，簽訂保密協(xié)議，開始實驗

　　5、完成實驗

　　6、郵寄檢測報告，提供后期服務。

　　中析研究所檢測有哪些優(yōu)勢?

　　1、中析研究所檢測周期短、費用低、檢測數(shù)據(jù)科學準確。

　　2、檢測報告。(支持掃碼查詢真?zhèn)危瑘蟾?

　　3、支持上門取樣，寄樣檢測。

　　4、初檢小樣

　　5、提供完善的售后服務。

　　多晶硅檢測標準

　　GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

　　GB/T 1553-1997 硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定

　　GB/T 1555-1997 半導體單晶晶向測定方法

　　GB/T 1557-1989 硅晶體中間隙氧含量測定

　　GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量測定

　　GB/T 14144-1993 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

　　GB/T 12962-2005 硅單晶

　　GB/T 12963-1996 硅多晶

　　GB/T 4059-1983 硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法

　　GB/T 4060-1983 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

　　GB/T 4061-1983 硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法

　　GB/T 13389-1992 摻硼磣磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度

　　多晶硅介紹

　　多晶硅是單質硅的一種形態(tài)。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯;在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。

　　以上部分就是關于多晶硅檢測的內容，關于其他多晶硅檢測問題，您也可以咨詢在線工程師幫您解決!中析研究所是的檢測機構，值得您的信賴!我們竭誠歡迎您前來洽談合作!